产品品牌：STK

产品型号：IRFP254

种类：其它

沟道类型：其它

导电方式：其它

N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.14Ω，漏电流为25A）)

主要作用：

1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

场效应管 的 型号命名
有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。

场效应管 的 参数符号
Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感
Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间
ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压（直流） VGS---栅源电压（直流） VGSF--正向栅源电压（直流）
VGSR---反向栅源电压（直流） VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)---开启电压或阀电压 V（BR）DSS---漏源击穿电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压（直流） Vsu---源衬底电压（直流） VDu---漏衬底电压（直流）
VGu---栅衬底电压（直流） Zo---驱动源内阻 η---漏极效率（射频功率管） Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏

现有高校使用名称如下：

南京林业大学，浙江大学电子研究室，清华大学电子研究室。