该项目研制出满足光通信需求的高性能DFB半导体激光器和PIN-TIA探测器，突破了半导体激光器和探测器芯片设计、外延生长、加工以及镀膜等关键技术，搭建了完整的半导体激光器与探测器芯片生产线及测试平台，并形成了月产20万颗芯片的生产能力。
项目研制的高性能半导体激光器，在–40℃到85℃的工作范围内、无冷却情况下，保持边模抑制比大于35dB，阈值小于20mA，斜率效率大于0.35mW/mA，3dB的带宽大于5GHz。研制的PIN-TIA探测器，实现在–40℃到+85℃工作范围内，可探测的波长范围在1100~1600nm，保持暗电流约5nA；在两个典型工作窗口1310 nm 和1550nm，保持响应度大于0.9A/W，器件的3dB带宽大于3GHz。
项目执行期内，共申请发明专利2件，授权实用新型专利1件，发表论文4篇；并实现了批量销售，获得千万元以上的销售订单。
该项目从源头上突破了“光芯片”制备的核心技术，生产的“光芯片”产品填补我国三网融合中核心器件产业空白，成功打破国外的技术和产品垄断，改变了我国此类产品依赖进口的局面，解决了我国光纤入户“最后一公里”技术瓶颈，已与国内多家光通信下游企业形成战略合作伙伴关系，推动了我国电子信息产业快速发展。同时，创新“人才团队＋项目＋成果”成果转化模式，组建了中科光芯光电科技有限公司，促进科技与经济紧密结合，为科技成果转化为现实生产力提供借鉴和参考。
验收会现场
