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国内最高性能IGBT芯片及模块问世

放大字体  缩小字体 世科网   发布日期:2014-01-10  浏览次数:785
核心提示:近日,由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并通过成果鉴定
近日,由中国南车株洲所主持研制的国内最大电压等级、最高功率密度的6500伏高压 IGBT芯片及其模块首次向外界亮相,并通过成果鉴定,刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为,该项目成果总体技术处于国际领先水平,代表了我国功率半导体器件行业IGBT技术的最高水平,具有重大战略意义。

  IGBT中文名为“绝缘栅双极型晶体管”,主要用于交直流转换和控制,是电力电子行业的核心零部件。从传统电力、机械、矿冶到轨道交通、柔性直流输电、新能源装备和航空航天等领域,高压高功率密度IGBT均有着广泛应用,被誉为现代功率变流装置的“心脏”和绿色高端产业的“核芯”,但此前相关技术被国外企业垄断。

  该项目负责人、中国南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友介绍说,该公司先后投入20多亿元,组织了近百位专家开展攻关,从IBGT芯片设计、封装测试、可靠性试验到系统应用,攻克了30多项难题,现在不仅掌握该器件的成套技术,形成了规模化、专业化生产的完整工艺体系,还在轨道交通、柔性直流输电及矿冶等领域得到批量应用。项目目前已申报专利20项,获授权4项。

  据悉,中国南车株洲所在此次鉴定会上同时展示了其“IGBT家族”的“超强阵容”,均代表行业最高水平,表明该公司已初步形成IGBT器件技术的完整产品型谱,成为国内唯一全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。

 
  来源:中国科学报
文章出自: 世科网
本文网址: http://www.cgets.net/news/show-4430.html

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关键词: IGBT 半导体 芯片 igbt
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