硅CMOS技术发展出现以下几种情况：一是硅CMOS集成中有源器件沟道越来越小，而第三维布线层次越来越多。二是进展中出现了一个“悖论”，摒弃本系材料特征的优势，发展原本平面集成的技巧;抑制本应充分利用的效应，专注不涉及器件机理的加工;三是产业经济循环有可能受阻。四是新兴器件短期“无望”?
当前，硅CMOS技术出现诸多瓶颈，但一时又离不开它。在现存“范式”内，硅CMOS技术需要创新机会，主要通过器件(工艺)创新、电路(架构)创新和集成(方法)创新来实现。
实现硅技术发展创新，需要把握以下几个方面：
一是硅CMOS器件提升空间日益缩小，目前实践中的两种“自上而下”创新(器件沟道纳米线、量子阱化;新兴器件沿用FET结构)，或许会导致“自下而上”的创新。
二是数以亿计纳米级硅CMOS集成所带来的产品参数散差、涨落和高开发成本，将极大地推动制成品可编程、可重构的创新发展，这将导致“可编程、可配置不仅仅存在于FPGA，而且存在于所有IC中，甚至电子系统也将具有可重构功能”。
三是在延伸缩小硅CMOS片上集成日益困难情况下，拓展摩尔已成为重要的方向，这种涉及异质功能的集成方法，在3DIC上仍存在诸多问题，因此发展空间很大，这将在第三次工业革命浪潮中得到空前发展。
