InGaAs雪崩光电探测器（APD）因具有内部电流增益使其在长距离光通讯和单光子探测等方面受到青睐，其高灵敏度特征也使人们渴望能将其制成阵列器件用于航天遥感等领域，但其高倍增电压带来的均匀性差和不易与读出电路配合等问题限制了在此方面的发展。中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室研究人员在国家自然科学基金等的支持下通过采用独特设计大幅降低了InGaAs APD的倍增电压，成功研制出倍增电压低于20V且具有高倍增增益和低增益斜率的InGaAs APD器件，为此类器件的航天应用打下了良好基础，相关研究结果已在IEEE Photon. Technol. Lett.上发表。

　　波长扩展型InGaAs探测器暗电流较大的问题是限制其性能的关键因素。上海微系统所信息功能材料国家重点实验室研究人员在“973”等项目的支持下通过在器件有源区中引入超晶格电子势垒对暗电流进行抑制取得良好效果，使得器件暗电流降低了4倍以上而光电流不受影响，为改善航天应用器件的性能提供了有效途径，相关研究结果已在Appl. Phys. Express上发表。