5、衬底、外延新技术
以下介绍几种在LED衬底、外延核心技术研究中的新技术是具有开创性。
（1）外延偏移生长技术
美国加州大学采用掩膜及分层偏移技术生长低位错GaN，如图所示。
示意图中SiO2厚200nm，SiNX厚120nm。先低温530℃生长25nm成核层，之后在1040℃下外延GaN，进行偏移生长，阻档位错生长，可获位错密度为7×105个/cm2，可极大提高内量子效率，减少Droop效应。在外延上采用创新技术，取得突破性进展，将极大提高LED性能指标。
（2）3D硅基GaN技术
Aledia公司发布采用3D硅基GaNmicrowire技术，制造3D硅基LED芯片的成本仅为传统2D平面LED的五分之一。该技术基于升级了microwire生产工艺，采用大尺寸园晶和低成本材料的解决方案，该技术已在法国LETI-CEA公司开始使用。
（3）氧化镓β-Ga2O3衬底
氧化镓Ga2O3具有多种结构形式：α、β、γ、δ、ε等，其中β结构最为稳定，禁带宽度为4.8~4.9ev，现已做出高品质、低缺陷密度Ga2O3MOSFET，具有优异器件潜力。
日本田村制作及子公司光波公司采用β-Ga2O3衬底生长GaN蓝光加荧光粉，芯片尺寸2mm见方，加6A电流，其可获500lm光通量，计划目标达2000~3000lm。
（4）稀土氧化物REO复合衬底
据《半导体化合物》2013年7月报导：在Si基上生长REO复合衬底，并生长大面积GaN园片，并具有消除应力、减少翘度，可大面积生长，REO性能稳定，减少成本，并具有更高DBR反射效应。已生长氧化钆、氧化铒等复合衬底，取得很好成果。
（5）介质复合衬底
上海蓝光最近发布：通过缓冲层与介质衬底的组合技术，使各项参数达到或超过蓝宝石PSS衬底的水平，取得突破性的成果。
小结：上述介绍几种新技术研究成果，是具有开拓性的创新成果，一旦产业化，将是颠覆的技术突破，开辟了LED照明技术发展上另一条重要的技术路线。
