日期:2014-10-20 13:49
以石墨烯为代表的二维纳米材料具备独特的形貌和优异的物性特征，为实现纳自旋电子器件提供了重要的材料基础。因此在二维纳米材料中实现自旋的本征调控和磁阻效应，是近年来该领域的研究热点。
由于绝大多数二维材料是本征非磁的，如何在二维材料中引入本征净磁矩成为了开发二维自旋电子器件的关键。吴长征教授及课题组的郭宇桥博士、戴军博士等提出低价卤族取代硫族元素的阴离子掺杂新方法，在克服了阳离子掺杂形成插层化合物而难以剥离的基础上，在二维纳米材料中成功引入本征自旋和调控能带结构，实现了自旋相关散射电子输运，并构