日期:2014-10-17 10:26
LSMO/NiO界面形成比较高的势垒差以满足磁隧道结中高阻态第二相的要求。（4)如果能控制NiO尺寸和分布，就有可能形成由NiO和LSMO构成的LSMO/NiO/LSMO隧道结。图2是所制备的具有纳米棋盘结构和纳米柱状结构的LSMO-NiO复合薄膜的TEM和HRTEM断面照片。
磁电阻测试结果表明：棋盘状结构的50% NiO体积比的 LSMO-NiO复合薄膜在200~300 K温度范围显示出较大的低场磁电阻效应 (在250 K和1 T下，LFMR = ~17％)；纳米柱状结构的70％NiO的 LSMO-NiO复合薄膜在10~210 K温度范围显示出巨大的低场磁电阻效应 (在10 K和1 T下，LFMR = ~41%) (图3)。通过