日期:2014-10-17 10:26
和纳米柱状结构的复合薄膜(图1和图2)。
图1是两种理想的微观组织结构的示意图，其中，L代表LSMO，N代表NiO。LSMO和NiO两相相间，构成纳米棋盘状结构和纳米柱状结构。其中，NiO相的尺寸应控制在1~2 nm，以形成纳米尺度的LSMO/NiO/LSMO磁隧道结。利用LSMO/NiO/LSMO的隧穿电阻以及LSMO/NiO界面的散射作用提高复合薄膜的磁电阻；通过控制LSMO母相的应变以及由其引起的居里温度和金属-绝缘转变温度的变化，在增大低场磁电阻的同时提高低场磁电阻效应的发生温度。之所以选用反铁磁、半导体的NiO作为第二相，主要考虑以下几方面的因素：（1)