日期:2014-10-17 10:26
的磁电阻效应，称其为低场磁电阻效应 (Low-field magnetoresistance, LFMR)。人们已经尝试了多种方法用于提高锰氧化物的低场磁电阻，包括人工形成晶界、引入缺陷以及高阻态的第二相等。但是其低场磁电阻效应的温度区间多位于10-150 K的低温，而无法在室温附近应用。因此，在增加锰氧化物薄膜的低场磁电阻的同时，如何提高其发生温度是需要解决的一个关键问题。
针对这一问题，该课题组研究人员在La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)中引入NiO第二相，采用脉冲激光沉积方法 (Pulsed Laser Deposition: PLD)，通过自组装生长模式制备出了纳米棋盘结构