日期:2013-12-16 21:12
一个由中国吉林大学、美国华盛顿卡内基研究所等单位研究人员组成的国际小组合作，通过对一种半导体施加压力，将其转变成了拓扑绝缘体(TI)。这是首次用压力逐渐调节一种材料，让它变成了拓扑绝缘状态，也为先进电子学应用领域寻找TI材料开辟了新途径。相关论文在线发表于《物理评论快报》上。
拓扑绝缘体内部绝缘而表面或边缘能导电，具有独特的电学性质。目前，研究人员能通过掺杂(加入少量其他元素)或种植(在基质上生长一个样本，基质是经过选择的，以引入结构系，样本在生长过程中会有轻微结构改变)的方法引发拓扑绝缘态，这两种方