上海有机所在低介电常数材料研究领域取得新进展
日期:2013-09-02 15:31
期在线发表在Advanced Materials。
　　这种材料的吸水率极低(0.12%)，可以避免集成电路制作过程中的微量潮气影响。这种聚合物薄膜也具有优异的力学性能，其杨氏模量达到17.13 GPa，与硅片上的结合力达到3.46 Gpa。聚合物还具有较高的热稳定性，5%热重损失温度大于450度。完全可以满足集成电路行业对低k材料的要求。
　　本项目获得科技部02科技重大专项的资助。


图1 PFN的介电常数和介电损耗


图2 PFN薄膜(a)和薄膜接触角(b)

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