日期:2013-09-02 15:31
相继开发出聚合物基低介电常数材料。但是，随着集成电路达到45 nm以下节点，需要介电常数k值小于2.5的超低介电材料，这些聚合物材料往往由于k值较高，难以满足要求。
基于含氟聚合物的诸多优异特性，尤其是C-F键极化率较低，有望在超低k材料中得到应用。已知的含氟材料中，聚四氟乙烯具有低至2.0的介电常数，但是其加工性能差、耐热和力学性能亦不佳。为了获得新型的low k材料，中科院上海有机化学研究所房强课题组开发出一种新型含氟聚合物PFN, 其在30MHz下，介电常数仅为2.33，是目前聚合物材料中，为数不多的低介电品种。该成果近