日期:2014-12-10 10:10
VCu）是影响激子特性的主要原因，而氧空位（VO）含量对激子发光的影响较小。
掺杂是调控Cu2O光电特性以满足器件应用需要的必要手段，最近该团队和E02组孟庆波研究员、SF3组纪爱玲副研究员以及挪威奥斯陆大学的Andrej Kuznetsov教授等合作，通过氮掺杂技术实现了对Cu2O的电性调控，并系统研究了杂质和缺陷在Cu2O晶格中的动力学行为。N原子掺入会占据O原子位形成替位原子，还会导致薄膜中VO含量增加，并有部分N原子会形成填隙原子（Ni）。Ni是一种在研究中被长期忽视的缺陷，然而该团队的研究结果证明：它与其他缺陷的相互作用对Cu2O薄