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超低功耗DDR4内存缓冲控制器芯片研发中期检查会召开

放大字体  缩小字体 世科网   发布日期:2013-11-18  浏览次数:927
核心提示: 2013年11月12日,十二五863计划超低功耗DDR4内存缓冲控制器芯片研发课题中期检查会在上海召开。科技部高新司、高技术中心相关
       2013年11月12日,“十二五”863计划“超低功耗DDR4内存缓冲控制器芯片研发”课题中期检查会在上海召开。科技部高新司、高技术中心相关同志及中期检查专家组、课题负责人和主要研究人员参加了会议。

  该课题由润起科技(上海)有限公司承担,目标是攻克下一代高性能计算机内存子系统关键技术,设计开发符合JEDEC(电子设备工程联合委员会)标准的超低功耗DDR4内存缓冲控制器芯片,并实现规模量产。目前,课题组已完成DDR4内存缓冲控制器芯片组架构设计、芯片设计及流片、样片封装与测试、 LRDIMM设计、内存子系统模拟验证平台搭建等工作,并通过了Intel和内存条厂商的测试认证,符合JEDEC 0.92标准,功耗指标明显优于国际同类产品。已申请发明专利6项,累计销售近10万片,取得了较好的应用效果。

 
  来源:科技部
文章出自: 世科网
本文网址: http://www.cgets.net/news/show-3707.html

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