根据理化研究所日前发表的新闻公报，多数物质在不同温度下其导电性能并不会发生变化，而有些种类的金属氧化物在温度变化时导电性能会发生改变。一种人工合成的镉锇氧化物在室温下拥有良好的导电性能，而被冷却到零下52摄氏度时，它会从导体转变成非磁性半导体。

　　来自理化研究所、东京大学、神户大学等机构的研究人员尝试利用大型同步辐射加速器SPring-8发出的X射线，观察这种镉锇氧化物中锇原子电子自旋的排列，发现这种氧化物转变为半导体的同时，电子自旋排列出现了两种方向。这种特殊的排列使氧化物整体的磁性消失，而两种自旋方向则可分别代表数据存储所必需的0和1两种状态。

　　公报指出，迄今的磁存储介质一旦靠近强磁场，存储的数据有被消除的危险。而这种镉锇氧化物由于没有磁性，因而不怕消磁，有望成为新的存储材料。不过，离实际应用还要解决诸多课题，比如如何使这种物质在室温下就能出现电子自旋排列改变，镉和锇的毒性处理等等。