A301 至少90%的干扰,是从第一级射频级输入电路进入接收机的。 udK%>
A302 射频及中频线圈、同轴电容器、和内部天线电路都必须加以屏蔽。 ]6,\r"
A303 在接收机机箱内的射频部分应该和输出部分屏蔽开来。 ,C\i^>=
A304 用一个简单的旁路电容防止射频能量自输出引线进入接收机内。 nAAs{
A305 仔细将射频放大级和混频级隔离开来。 -vo})lO
A306 本振的屏蔽罩必须尽量连接。(注意:也许有必要使用双层屏蔽) 3)wN))VBX
A307 将本振屏蔽罩固定到附近大支撑物的等电位点上,以防止大面积激励。 #FLb*%Nr
A308 所有进入本振屏蔽区内的电源线均须滤波。 FW;?s+Uyx
A309 振荡器应使用单点接地系统。 |)th1
UH
A310 适当选定振荡器线圈的方位,以将周围金属上的感生电流降到最低限度。 IVnHf_PzF
A311 如果干扰信号有大振幅脉冲组成,在接收机的前端应使用限幅器和消隐电路。 ' ,wFTV&
A312 如果干扰信号只保护单一频率或一个窄频带时,可使用陷波器。 1p3z1_wrs
A313 当已经确切知道干扰信号的特性和进入途径时,可使用相位消除法以抵消这些信号。 z]y.W`i
A314 如果干扰信号只包括少数固定声频分量,可使用声频滤波器。 ,Ks8*;#r
A315 所有控制电缆都须加屏蔽,如有可能均应予以隔离。 (UD@q>c
A316 在接收机控制电路内,设置低通滤波器。 @CL{D:d
A317 应提供敏感电路的抗干扰能力。用小的高频电容器来旁路电解电容器。使用管状电容器时,把连接外层金属箔的一端接地。 K&]G3W%V
A318 正确选择工作信号电平。 Tn e4
A319 应尽量使用负逻辑接收电路及使用高阻抗电路。如CMOS、HTL数字电路、差动输入运算放大器。尽量采用数字电路。 DU'`ewLL7
A320 传输低电平信号的变压器应采用环形磁路和对称绕组,以提高抗磁场干扰的能力。 L|7R9+ZG
A321 严格机加及装配工艺,减少电源变压器本身的漏磁场。 9wwqcx)3(
A322 在选用元器件时,不仅考虑满足电气性能要求,而且应经可靠性艰辛,选择能满足可靠性要求的元器件。 F^BS/Yag
A323 尽量采用国家标准和专业标准元器件 %s|Ely)
A324 尽量不用非标准的元器件,如果必须采用,应确定生产厂共同进行质量控制,并对其进行环境实验。 mxC;?s;~
A325 采用的外购产品应是经过生产定型或转厂鉴定,且应是成批生产的产品。 HC
s?iJ
A326 尽量减少元器件的品种,压缩品种规格比,提高同类元器件的复用率,使其品种规格比率应满足控制要求。 ,T$U'&;
A327 尽量避免选用已知易失效的元件。元器件在经过长期应用和环境条件的变化而引起特性参数发生变化,在选用元器件时应考虑其变化的极限。 M`!H"R 7
A328 非经主管部门批准不得选用高失效率的元器件。如简便电源插头、香蕉插头、电池、套筒式轴承。 E
KLyma&}Y
A329 元器件在经过长期应用和环境条件的变化而引起特性参数发生变化,在选用元器件时应考虑其变化的极限。 U$ElV]N
A330 在选用元器件时,除按加到元器件上的电应力性质及大小选用外,还应注意按作用在极限环境条件下,元器件仍能正常工作选用。 oIzj,v8$
A331 在高压工作条件 下的元器件除了选择时注意外,应设有过压保护装置及采取防浪涌电流措施,同时雨进行减额应用。 k)=s>&hl
A332 在脉冲工作下的元器件应有较大 的电流富裕量和良好的频率特性。 WO>nIo5Y
A333 经常使用在潮湿环境条件下的电子设备,选用元器件时要特别注意其密封性和耐潮性。 ZG8DIV\D7
A334 在选择元器件时应考虑电磁兼容性要求,应选择噪声系数小和电磁干扰影响迟钝的元器件。 (vJNHY M
A335 电阻器除了按阻值及额定功率来选用外,高阻值电阻器还应考虑工作电压是否超过额定值,而低阻值电阻则主要考虑其耗散功率。 +lcbi
A336 金属膜电阻器断续负荷比连续负荷苛刻,直流负荷比交流负荷苛刻。 A]oV"`f
A337 引起电阻器失效的主要原因是温度和电流密度。 5e^ChK0Q
A338 各类电阻器中,线绕电阻器噪声最小,合成电阻器噪声最大。 oAeUvmh
A339 选用金属膜电阻器时,如果希望噪声低些,可以选用噪声电动势为A级的,它比B级的噪声系数小12分贝。
u `6:5k
A340 实心电阻器可靠性好,除了对电性能有较高要求的地方外,均可使用。 )F]]m#`
A341 金属膜电阻器(RJ)和金属化膜电阻器(RY)化学稳定性好,它的温度系数、非线性、噪声电动势都比碳膜电阻器优良,额定工作温度可达125℃;短时负荷及脉冲负荷性较好。 bK&+5t&
A342 金属氧化膜电阻器的阻值范围偏低,可以用之补充金属膜电阻器的低阻部分。这两种电阻器可用于稳定性和电性能要求较高的地方。这两种电阻器特别使用于高额应用,但应注意,在400兆赫及400兆赫以上频率工作时,阻值将会下降。 ?%[@Qb=2
A343 在要求高精度及电性能有特殊要求的地方,可以选用精密线绕电阻器(RX)和金属膜电阻器。 {_p_%;
A344 精密线绕电阻器为密封封装,可以防止潮气进入和氧化,其温度系数可达1~15PPm,经过老练处理后,性能很稳定。 y766;
X:J
A345 块金属膜电阻器性能稳定,温度系数可达0.5~10PPm,精度可达1PPm,经过老练处理后,性能很稳定。 <R=Zs[9M1
A346 在使用电容器,应防止电流过载。由于开关动作和瞬间浪涌持续长,且幅度大,将使容量非永久性偏移,密封也可能受到破坏。 .p"
xVfi6
A347 在使用电容器时,应防止电压过载。由于开关动作或负荷突然中止,在电容器上产生过高电压瞬变引起内部电晕,导致绝缘电阻下降。 Z,Dl` w
A348 在使用电容器时,应注意频率效应。流过电容器的电流与频率成正比,当将低频电容器用于高频电路时,高频电流会使电容器过热而击穿。 [5Mr@f4
I
A349 在使用电容器时,要注意高温对电容器影响,高温会使电容器过热,使介质强度下降而击穿或容量偏移。 q#9RW(o
A350 在使用电容器时,要注意潮湿对电容器的影响。潮湿会使电容器外部腐蚀或长霉,降低介质强度、介质常数以及降低绝缘电阻,产生大于规定值的漏电流,从而降低了击穿电压和产生较高的内温。 60?%<oJ oH
A351 某些被称为“交流电容器”实际上专指工业电网频率50Hz而言,用于较高频率是不适当的,除非降额应用。 *#+An<iT ;
A352 如果电路需要电容器在很宽频带工作时,可以用两种不同频带电容器以解决电容器频率限制问题。 v O_*yh1
A353 在一般情况下,固态钽电容器可靠性较好,但应注意在电压高于60~70伏以上时,固态钽电容器的可靠性明显下降,一般在63伏以上使用液态钽电容器较好。 07{)?1cod4
A354 应注意液态钽电容在低气压情况下不能使用。因其密封性较差,在低气压下工作,容易发生漏液现象,引起性能蜕变,导致失效。 <*cikXS
A355 一般金属板薄膜电容器耐受大电流冲击能力不如金属箔薄膜电容器。 )irEM
A356 最然云母电容器温度系数较某些陶瓷电容器为好,但其密封性不好,易受潮失效,在经常工作在潮湿环境下的电子设备不宜采用。 q9s=~d7
A357 单引出头的电介电容器,因另一极是不能焊接的铝外壳,不易保证良好接地,对电磁屏蔽不利,应慎用。 WX3-\Y5E
A358 使用瓷管电容器和线绕式半可调电容器时,应把连接外层金属的一端作接地端在(或接交流低电平)。以利电磁屏蔽。 j*r{2f4Rt
A359 使用可变电容器及半可变电容器时,应把动片作接地端,以利电磁屏蔽。 X
UuN )i
A360 除了分定片调谐电容器以外,空气气介质可变电容器,应是动片接地型的,相对片间间隙不应小于0.2毫米,间隙小于0.2毫米时应加有防护罩,其片间承受电压及转动寿命应符合产品技术要求。 YS"=yye3e
A361 半可变电容器调整完成时,应位于其变化范围之间。 E+;7>ja
A362 除非另外有规定外,不应该使用非金属外壳的纸塑固定电容器。只是在封装或密封的组件中,才可以使用非金属塑料包装的电容器。 Qq|57X)P*
A363 铝电解固定电容器,应限制用于电源滤波电路中。 61'XgkacDS
A364 压缩型可变电容器及纸介电容器不应采用。 $yNS
pNmT0
A365 为了限制干扰电平,应选用漏电源小的电容器。 |@4' <
4
t
A366 纸介电容器易老化,热稳定性差、工作温度低,易吸潮,一般不采用;如采用需采取防潮措施或选用密封纸介电容器(如CZ31)或小型耐热纸介断奶容器CZRX等,但仅用在直流及低额电路中。 p0vVkdd
A367 金属化纸介电容器,一般用在脉冲电路中,它具有“自愈”能力,但其降额系数不应选的大小,否则“自愈”能力减弱。 #AQV(;r7@
A368 绦纶电容器使用温度最好不要超过100℃,不应用于高频电路中。 @~a%/GQ#n*
A369 在计算机和数字电路的电流滤波电路中,所采用的铝电解电容器应考虑脉冲电流大的特点,选用多组电容器并联或特大容量电容。 )+9Uoe~6
A370 对于铝电解电容器,一般库存二年以上不要装机;否则要加低压,作赋能处理后再使用。 e$rZ5X
A371 铝电解电容器长期使用于高温40℃和盐雾条件下,会发生外壳腐蚀,容量漂移和漏电流增大。舰载、海岸设备要慎用。当受空间粒子轰击时,电解质会分解,空间、宇航设备最好不用。 :d'8x
A372 在低温工作的电子设备最好不选用铝电解电容器而选用钽电解电容器。 ?4T-@~~*`=
A373 在交流工作状态下使用钽电解电容器最好是选用双极性的(即无极性的),但使用电压和工作频率不宜过高。振动和冲击不宜过大。 LZxNAua
A374 在满足电路性能要求的条件下,尽量选用硅管而不用锗管。因为硅管结温(150~175℃)较锗管结温(75~90℃)高;硅管的13VCBO较锗管13VCBO高。所以在高温高压工作时应选用硅管而不选用锗管。 ;
BHtCuY
A375 在微弱信号放大电路中,应选用低噪声放大管,应注意晶体管手册所给出的噪声系数是按其额定频率测定的,不能盲目套用。 SXP]%{@R/
A376 穿透电流小的晶体管往往噪声小,应优先选用。 sK?twg;D*|
A377 当用晶体管驱动电磁继电器时,为防止在过渡过程中电压击穿晶体管,应在继电器的绕组上并联吸收元件。吸收元件除用二极管、电容器、电阻器外,还可用压敏电阻器。 +9sQZB# (
A378 带有接金属外壳引出脚的高频晶体管,外壳引出脚应接地。 19%imf
A379 晶体管用在强干扰条件下,为防止它因强烈过载而损坏,应在其输入端加限幅器。 #&e-|81H
A380 为了使TTL稳定可靠的工作,注意对TTL电路采取抗干扰措施:A.每一块装有TTL的印制板电源输入端接上去偶滤波电容器,尽可能不用外接元器件(如电阻、电容器);B.印制板包边、插入金属弹性导轨与机架相连接地;C.用双扭线作为信号的传输线;D.分散供电,地线成网。 EQSQFRk;
A381 所选用的半导体器件应采用玻璃、金属、金属绝缘膜、陶瓷封装或用这些材料复合封装。尽量不用塑料封装的半导体器件。 LCV(,lu
A382 采用静电放电敏感的半导体器件时,应该考虑殴打功率或采用有保护元件的器件。 [AJJSd/:
A383 尽量少使用或不使用电位器。对于一经调节的不再经常调节的使用情况,可采用微调电位器。对于调节后不允许再变动的地方,可采用锁紧式电位器。 xxQ;xI0+]
A384 尽管线绕电位器电流噪声小,温度系数低,耐热性好,但其绕组有布线电容和电感,不宜用于高频线路中。 (A.C
]hD
A385 在较高温度环境下应使用WS-12型而不用WH-118型电位器。 @oGcuE
A386 电位器的可靠性与安装方式有关,任意一只电位器的安装点,在任何方向上离开其它任何一只电位器的安装点距离应为电位器直径的四倍。 lPAQ3t!,
A387 所有的变压器、电感器和线圈均应经过浸渍处理,达到防潮的目的;变压器、扼流圈必要时应该灌封。 \o3gKoL%
A388 变压器和电感器在内部工作温度等于或高于65℃的设备中使用时,禁止采用封闭或液体填料的方式。 kD"{g#c
A389 变压器绝缘级为A级时,温升不得超过50度,绝缘等级为B级时,温升不得超过60度。 d2L&Z_}
A390 为了防止通过电源变压器引人干扰信号,应采用全波整流变压器而不采用桥式整流变压器。 %J-GKpo/S
A391 为了消除变压器的交流声,应特别注意变压器铁芯的构造和制作。 dqcL]e
A392 当电路对电感器的Q值稳定性有较高要求时,应尽量控制电感器的环境温度恒定。 )=(kBWM
A393 对扼流圈和线圈的电流应加以控制,使其不得超过允许值。 ?Q;=v~-Q
A394 可变电感器解除部分,无论使用转子还是使用滑动触头,在转动时应保证接触良好。 cm+P]8o%{
A395 设备电路开关电流大于10A的地方,不应使用继电器。 MnHNjsO#
A396 负载转换继电器,应该是专用继电器。 iU:cW=W|M\
A397 在潮湿环境下或在海上及沿海地区应用的设备尽量使用密封的继电器和光电耦合固体继电器。 Pc]HP
A398 在大电流应用情况下,不应使用额定容量与工作电流相接近的插头座。 ?&uu[y
A399 在高压应用情况下,要特别注意气隙结构的耐压程度,应选用超过实际应用电压值的插头座。 EhBKj |y
A400 注意插头座的本身材料耐高温的标称值,应选用比实际可能出现高温要高的插头座。