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静电是时时刻刻到处存在的,但是在二十世纪40-50年代很少有静电问题,因为那时是晶体三级管和二极管,而所产生的静电也不如现在普遍存在。在60年代,随着对静电非常敏感的MOS器件的出现,静电问题日渐明显,到70年代静电问题越来越严重。80-90年代,随着集成电路的密度越来越大,一方面其二氧化硅膜的厚度越来越薄(微米一纳米),其承受的静电电压越来越低,另一方面,产生和积累静电的材料如塑料,橡胶等大量使用,使得静电越来越普遍存在。 ,4^9cFVo vKNt$]pm= {&2$[g=[ ^ 在生产过程中,如果元件全部破坏,必能在生产及品管中被察觉而排除,影响较小。如果元件轻微受损,在正常测试下不易发现,在这种情形下,常会因经过多层的加工,甚至已在使用时,才发现破坏,不但检查不易,而且其损失亦难以预测。要耗费很多人力及财力才能清查出所有问题,而且如果在使用时才察觉故障,其损失可能巨大。 x9 &-(kBU $[Tt#CJw 以下是静电对电子产品损害的四个特点: }JRP,YNh wL 4ZW8_ 1、隐蔽性 F-_%>KJS 86 *;z-G 人体不能直接感知静电,除非发生静电放电,但是发生静电放电人体也不一定能有电击的感觉,这是因为人体感知的静电具有隐蔽性。 !CVuw !X^Hi=aV 2、潜在性 P Q7A~dw9 Y RPm^kW 有些电子元器件受到静电损伤后的性能没有明显有下降,但多次累加放电会给元器件造成内伤而形成隐患。因此静电对器件的损伤具有潜在性。 J^ `hbP+2 c! @F 3、随机性 F*M|<E= oK2pM18 电子元器件什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说,从一个元器件产生以后,一直到它损坏以前,所有的过程都受到静电的威胁,而这些静电的产生也具有随机性。 p~K9
B-D tAjx\7IX 4、复杂性 K%MW6y 3J{vt"dS 静电放电损伤的失效分析工作,因电子产品的精、细、微小的结构特点而费时、费事、费钱,要求较高的技术并往往需要使用扫描电镜等高精密仪器。即使如此,有些静电损伤现象也难以与其他原因造成的损伤失效当作其他失效。这在对静电放电损害未充分认识之前,常常归因于早期失效或情况不明的失效,从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。所以静电对电子器件损伤的分析具有复杂性。 @b2`R3}9R ME^,
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